русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > EPC2101ENG
EPC2101ENG
EPC2101ENG
Тип продуктов:
EPC2101ENG
производитель:
EPC
Описание:
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
84614 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
EPC2101ENG.pdf
запрос

Введение

We can supply EPC2101ENG, use the request quote form to request EPC2101ENG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2101ENG.The price and lead time for EPC2101ENG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2101ENG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-EPC2101ENG
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Vgs (й) (Max) @ Id:2.5V @ 2mA
Поставщик Упаковка устройства:Die
Серии:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11.5 mOhm @ 20A, 5V
Мощность - Макс:-
упаковка:Tray
Упаковка /:Die
Другие названия:917-EPC2101ENG
EPC2101ENGR_H5
EPC2101ENGRH5
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:300pF @ 30V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:2.7nC @ 5V
Тип FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET Характеристика:GaNFET (Gallium Nitride)
Слить к источнику напряжения (VDSS):60V
Подробное описание:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:9.5A, 38A
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для EPC2101ENG

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
EPC2046ENGRT Image EPC2046ENGRT EPC TRANS GAN 200V BUMPED DIE запрос
EPC2103ENGRT Image EPC2103ENGRT EPC TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V запрос
EPC2049ENGRT EPC TRANS GAN 40V BUMPED DIE запрос
EPC2103ENG Image EPC2103ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE запрос
EPC2047ENGRT Image EPC2047ENGRT EPC TRANS GAN 200V BUMPED DIE запрос
EPC2101 Image EPC2101 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID запрос
EPC2102ENG Image EPC2102ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE запрос
EPC2102ENGRT Image EPC2102ENGRT EPC MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE запрос
EPC2100ENG Image EPC2100ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE запрос
EPC2104 Image EPC2104 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG запрос
EPC2051ENGRT Image EPC2051ENGRT EPC TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR запрос
EPC2100 Image EPC2100 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID запрос
EPC2100ENGRT Image EPC2100ENGRT EPC MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE запрос
EPC2102 Image EPC2102 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG запрос
EPC2045ENGRT Image EPC2045ENGRT EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE запрос
EPC2104ENGRT Image EPC2104ENGRT EPC MOSFET 2NCH 100V 23A DIE запрос
EPC2104ENG Image EPC2104ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE запрос
EPC2101ENGRT Image EPC2101ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID запрос
EPC2103 Image EPC2103 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG запрос
EPC2050ENGRT Image EPC2050ENGRT EPC TRANS GAN 350V BUMPED DIE запрос

Latest Новости