русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > EPC2032ENGRT
EPC2032ENGRT
EPC2032ENGRT
Тип продуктов:
EPC2032ENGRT
производитель:
EPC
Описание:
TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
44091 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
EPC2032ENGRT.pdf
запрос

Введение

We can supply EPC2032ENGRT, use the request quote form to request EPC2032ENGRT pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2032ENGRT.The price and lead time for EPC2032ENGRT depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2032ENGRT.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-EPC2032ENGRT
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Vgs (й) (Max) @ Id:2.5V @ 11mA
Vgs (макс.):+6V, -4V
Технологии:GaNFET (Gallium Nitride)
Поставщик Упаковка устройства:Die
Серии:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4 mOhm @ 30A, 5V
Рассеиваемая мощность (макс):-
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:Die
Другие названия:917-EPC2032ENGRTR
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:1530pF @ 50V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:15nC @ 5V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):5V
Слить к источнику напряжения (VDSS):100V
Подробное описание:N-Channel 100V 48A (Ta) Surface Mount Die
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:48A (Ta)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для EPC2032ENGRT

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
EPC2033ENGR Image EPC2033ENGR EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2034 Image EPC2034 EPC TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE запрос
EPC2031ENGR Image EPC2031ENGR EPC TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2034ENGR Image EPC2034ENGR EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE запрос
EPC2036ENGRT Image EPC2036ENGRT EPC MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE запрос
EPC2032ENGR Image EPC2032ENGR EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE запрос
EPC2035 Image EPC2035 EPC TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE запрос
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2030 Image EPC2030 EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE запрос
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2036 Image EPC2036 EPC TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE запрос
EPC2033ENGRT Image EPC2033ENGRT EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2037 Image EPC2037 EPC TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI запрос
EPC2032 Image EPC2032 EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE запрос
EPC2033 Image EPC2033 EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE запрос
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE запрос
EPC2034ENGRT Image EPC2034ENGRT EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2031 Image EPC2031 EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE запрос

Latest Новости