polski
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
O nas | Skontaktuj się z nami | Poprosić o wycenę |
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > EPC2031ENGR
EPC2031ENGR
EPC2031ENGR
Part Number:
EPC2031ENGR
Producent:
EPC
Opis:
TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
Status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Ilość w magazynie:
74028 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Czas produkcji:
4-8 weeks
Arkusz danych:
EPC2031ENGR.pdf
Zapytanie ofertowe

Wprowadzenie

We can supply EPC2031ENGR, use the request quote form to request EPC2031ENGR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2031ENGR.The price and lead time for EPC2031ENGR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2031ENGR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specyfikacje

Wewnętrzny numer części RO-EPC2031ENGR
Stan Original New
Kraj pochodzenia Contact us
Najlepsze oznaczanie email us
Zastąpienie See datasheet
Napięcie - Test:1800pF @ 300V
Napięcie - Podział:Die
VGS (th) (Max) @ Id:2.6 mOhm @ 30A, 5V
Vgs (maks.):5V
Technologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Seria:eGaN®
Stan RoHS:Tray
RDS (Max) @ ID, Vgs:31A (Ta)
Polaryzacja:Die
Inne nazwy:917-EPC2031ENGR
temperatura robocza:-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Numer części producenta:EPC2031ENGR
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:17nC @ 5V
Rodzaj IGBT:+6V, -4V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:2.5V @ 15mA
Cecha FET:N-Channel
Rozszerzony opis:N-Channel 60V 31A (Ta) Surface Mount Die
Spust do źródła napięcia (Vdss):-
Opis:TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:60V
Stosunek pojemności:-
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze

Podobne zamienne do EPC2031ENGR

Obraz Part Number Producenci Opis Widok
EPC2032ENGRT Image EPC2032ENGRT EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Zapytanie ofertowe
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Zapytanie ofertowe
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Zapytanie ofertowe
EPC2033 Image EPC2033 EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE Zapytanie ofertowe
EPC2034ENGR Image EPC2034ENGR EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE Zapytanie ofertowe
EPC2034 Image EPC2034 EPC TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE Zapytanie ofertowe
EPC2029 Image EPC2029 EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Zapytanie ofertowe
EPC2032ENGR Image EPC2032ENGR EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Zapytanie ofertowe
EPC2033ENGRT Image EPC2033ENGRT EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Zapytanie ofertowe
EPC2032 Image EPC2032 EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Zapytanie ofertowe
EPC2034ENGRT Image EPC2034ENGRT EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE Zapytanie ofertowe
EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE Zapytanie ofertowe
EPC2030 Image EPC2030 EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Zapytanie ofertowe
EPC2033ENGR Image EPC2033ENGR EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Zapytanie ofertowe
EPC2025ENGR Image EPC2025ENGR EPC TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE Zapytanie ofertowe
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Zapytanie ofertowe
EPC2031 Image EPC2031 EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Zapytanie ofertowe
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Zapytanie ofertowe
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Zapytanie ofertowe
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE Zapytanie ofertowe

Latest Aktualności