DDTB123EC-7-F
- Тип продуктов:
- DDTB123EC-7-F
- производитель:
- Diodes Incorporated
- Описание:
- TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- RoHS Статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 79159 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Сроки изготовления:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- DDTB123EC-7-F.pdf
Введение
We can supply DDTB123EC-7-F, use the request quote form to request DDTB123EC-7-F pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number DDTB123EC-7-F.The price and lead time for DDTB123EC-7-F depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# DDTB123EC-7-F.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификация
| Внутренний номер детали | RO-DDTB123EC-7-F |
|---|---|
| Состояние | Original New |
| Страна происхождения | Contact us |
| Топ маркировки | email us |
| замена | See datasheet |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Тип транзистор: | PNP - Pre-Biased |
| Поставщик Упаковка устройства: | SOT-23-3 |
| Серии: | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2): | 2.2 kOhms |
| Резистор - основание (R1): | 2.2 kOhms |
| Мощность - Макс: | 200mW |
| упаковка: | Cut Tape (CT) |
| Упаковка /: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Другие названия: | DDTB123EC-7-FDICT |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход: | 200MHz |
| Подробное описание: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 39 @ 50mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 500nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для DDTB123EC-7-F
Latest Новости
- Toshiba запускает IC Gate SmartMCD -драйвера серии со встроенным микроконтроллером
- ADI Deployment Sambanova Kit, продвигая производственную формулу AI для достижения прорыва на уровне предприятия
- Honeywell и Adi объединились в руки, чтобы продвигать инновации и изменения автоматизации здания
- Максим объявил о запуске
- Максим запускает автомобиль DC-DC Converter MAX16984, автомобиль со встроенными USB-зарядными перечислениями
- Renesas Electronics запускает первый в отрасли программируемый электрический драйвер IC
- Renesas запустил 32-разрядное ядро процессора RISC-V RISC-V
- Вишай запустил новую сетку с низким содержанием мощности 10 МБД, всего лишь 5 мА, диапазон напряжений составляет от 2,7 В до 5,5 В
- Melexis запустил новое интеллектуальное решение Divert для интеграции надежной безопасности
- Toshiba разработал первый в промышленности модуль MOSFET 2200 В.
- Эпоха DDR5 приближается, и новые проблемы нельзя игнорировать
- Renesas открывает следующую карту маршрута продукта Car Soc и MCU процессора MCU