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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル、プリバイアス > DDTB123EC-7-F
DDTB123EC-7-F
DDTB123EC-7-F
部品型番:
DDTB123EC-7-F
メーカー:
Diodes Incorporated
説明:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
79159 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
DDTB123EC-7-F.pdf
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規格

内部モデル RO-DDTB123EC-7-F
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:300mV @ 2.5mA, 50mA
トランジスタ型式:PNP - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ:SOT-23-3
シリーズ:-
抵抗器ベース（R2）:2.2 kOhms
抵抗器 - ベース（R1）:2.2 kOhms
電力 - 最大:200mW
パッケージング:Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前:DDTB123EC-7-FDICT
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション:200MHz
詳細な説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:39 @ 50mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:500mA
Email:[email protected]

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