SSM6J501NU,LF
SSM6J501NU,LF
Modelo do Produto:
SSM6J501NU,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
78888 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SSM6J501NU,LF.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-SSM6J501NU,LF
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-UDFNB (2x2)
Série:U-MOSVI
RDS ON (Max) @ Id, VGS:15.3 mOhm @ 4A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-WDFN Exposed Pad
Outros nomes:SSM6J501NU,LF(A
SSM6J501NU,LF(B
SSM6J501NU,LF(T
SSM6J501NULF
SSM6J501NULF(TTR
SSM6J501NULF(TTR-ND
SSM6J501NULFTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2600pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:29.9nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:P-Channel 20V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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