SSM6J512NU,LF
- Modelo do Produto:
- SSM6J512NU,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 70950 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- SSM6J512NU,LF.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-SSM6J512NU,LF |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 6-UDFNB (2x2) |
| Série: | U-MOSVII |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 16.2 mOhm @ 4A, 8V |
| Dissipação de energia (Max): | 1.25W (Ta) |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Outros nomes: | SSM6J512NULFCT |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1400pF @ 6V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 19.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 1.8V, 8V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 12V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 12V 10A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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