SSM6J212FE,LF
- Modelo do Produto:
- SSM6J212FE,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- MOSFET P-CH 20V 4A ES6
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 31902 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 1.SSM6J212FE,LF.pdf2.SSM6J212FE,LF.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-SSM6J212FE,LF |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | ES6 |
| Série: | U-MOSVI |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 40.7 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 500mW (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SOT-563, SOT-666 |
| Outros nomes: | SSM6J212FE(TE85L,F SSM6J212FE(TE85LFTR SSM6J212FE(TE85LFTR-ND SSM6J212FE,LF(CA SSM6J212FELF SSM6J212FELFTR SSM6J212FETE85LF |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 970pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 14.1nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 1.5V, 4.5V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 20V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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