SSM6J216FE,LF
SSM6J216FE,LF
Modelo do Produto:
SSM6J216FE,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
51631 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SSM6J216FE,LF.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-SSM6J216FE,LF
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ES6
Série:U-MOSVI
RDS ON (Max) @ Id, VGS:32 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):700mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-563, SOT-666
Outros nomes:SSM6J216FE,LF(A
SSM6J216FELF
SSM6J216FELF(A
SSM6J216FELF-ND
SSM6J216FELFTR
Temperatura de operação:150°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1040pF @ 12V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:12.7nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição detalhada:P-Channel 12V 4.8A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount ES6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.8A (Ta)
Email:[email protected]

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