SSM3J36MFV,L3F
- Modelo do Produto:
- SSM3J36MFV,L3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 58337 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- SSM3J36MFV,L3F.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-SSM3J36MFV,L3F |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | VESM |
| Série: | U-MOSIII |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 150mW (Ta) |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | SOT-723 |
| Outros nomes: | SSM3J36MFV(TL3T)DKR SSM3J36MFV(TL3T)DKR-ND SSM3J36MFVL3FDKR |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 43pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.2nC @ 4V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 1.5V, 4.5V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 20V 330mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 330mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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