SSM3J35CT,L3F
- Modelo do Produto:
- SSM3J35CT,L3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 37425 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- SSM3J35CT,L3F.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-SSM3J35CT,L3F |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | CST3 |
| Série: | π-MOSVI |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 8 Ohm @ 50mA, 4V |
| Dissipação de energia (Max): | 100mW (Ta) |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | SC-101, SOT-883 |
| Outros nomes: | SSM3J35CTL3FCT |
| Temperatura de operação: | 150°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 12.2pF @ 3V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 1.2V, 4V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 20V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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