SSM3J56MFV,L3F
SSM3J56MFV,L3F
Modelo do Produto:
SSM3J56MFV,L3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
69599 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SSM3J56MFV,L3F.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-SSM3J56MFV,L3F
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:VESM
Série:U-MOSVI
RDS ON (Max) @ Id, VGS:390 mOhm @ 800mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max):150mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-723
Outros nomes:SSM3J56MFV,L3F(B
SSM3J56MFV,L3F(T
SSM3J56MFVL3F(TTR
SSM3J56MFVL3F(TTR-ND
SSM3J56MFVL3FT
SSM3J56MFVL3FTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:100pF @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.2V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:P-Channel 20V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:800mA (Ta)
Email:[email protected]

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