SSM3J353F,LF
Modelo do Produto:
SSM3J353F,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
52268 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SSM3J353F,LF.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-SSM3J353F,LF
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):+20V, -25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:S-Mini
Série:U-MOSVI
RDS ON (Max) @ Id, VGS:150 mOhm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max):600mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:SSM3J353F,LF(B
SSM3J353F,LF(T
SSM3J353FLFTR
Temperatura de operação:150°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:159pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:3.4nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:P-Channel 30V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount S-Mini
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

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