SI3586DV-T1-E3
- Onderdeel nummer:
- SI3586DV-T1-E3
- Fabrikant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschrijving:
- MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
- RoHS-status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- hoeveelheid in voorraad:
- 82753 Pieces
- Aflevertijd:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Productie tijd:
- 4-8 weeks
- Data papier:
- SI3586DV-T1-E3.pdf
Invoering
We can supply SI3586DV-T1-E3, use the request quote form to request SI3586DV-T1-E3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI3586DV-T1-E3.The price and lead time for SI3586DV-T1-E3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI3586DV-T1-E3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
bestek
| Intern onderdeelnummer | RO-SI3586DV-T1-E3 |
|---|---|
| Staat | Original New |
| Land van oorsprong | Contact us |
| Top Markering | email us |
| Vervanging | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.1V @ 250µA |
| Leverancier Device Pakket: | 6-TSOP |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Vermogen - Max: | 830mW |
| Packaging: | Tape & Reel (TR) |
| Verpakking / doos: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Andere namen: | SI3586DV-T1-E3TR SI3586DVT1E3 |
| Temperatuur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type: | Surface Mount |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Loodvrije status / RoHS-status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
| FET Type: | N and P-Channel |
| FET Feature: | Logic Level Gate |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | 20V |
| gedetailleerde beschrijving: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 2.9A, 2.1A |
| Base Part Number: | SI3586 |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor SI3586DV-T1-E3
Latest Nieuws
- Toshiba lanceert SmartMCD -serie Gate Driver IC met ingebedde microcontroller
- ADI -implementatie Sambanova -kit, die de productieformule AI promoot om doorbraak te bereiken op een bedrijfsniveau
- Honeywell en Adi hebben de handen in elkaar gekomen om de innovatie en verandering van het bouwen van automatisering te bevorderen
- Maxim kondigde de lancering aan
- Maxim Lanceert een auto DC-DC-converter Max16984, een auto met geïntegreerde USB-oplaadraamers
- Renesas Electronics lanceert de eerste programmeerbare elektrische stuurprogramma's van de industrie
- Renesas lanceerde de eerste generatie van 32-bit RISC-V CPU-kernel
- Vishay lanceerde de nieuwe lichtkoppeling van 10 MBD low -power, zo laag als 5 mA, het spanningsbereik is 2,7 V tot 5,5 V
- Melexis lanceerde een nieuwe intelligente divert -oplossing om betrouwbare beveiliging te integreren
- Toshiba heeft de eerste 2200V dual -carbide MOSFET -module van de industrie ontwikkeld om de efficiënte en miniaturisatie van industriële apparatuur te helpen
- Het DDR5 -tijdperk nadert en nieuwe uitdagingen kunnen niet worden genegeerd
- Renesas opent de volgende -generatie auto SOC en MCU -processor productroute kaart