Nederland
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Over ons | Neem contact met ons op | Een citaat aanvragen |
Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single > EPC2012
EPC2012
EPC2012
Onderdeel nummer:
EPC2012
Fabrikant:
EPC
Beschrijving:
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
RoHS-status:
Loodvrij / RoHS-conform
hoeveelheid in voorraad:
31089 Pieces
Aflevertijd:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Productie tijd:
4-8 weeks
Data papier:
EPC2012.pdf
Onderzoek

Invoering

We can supply EPC2012, use the request quote form to request EPC2012 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2012.The price and lead time for EPC2012 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2012.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

bestek

Intern onderdeelnummer RO-EPC2012
Staat Original New
Land van oorsprong Contact us
Top Markering email us
Vervanging See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):+6V, -5V
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Leverancier Device Pakket:Die
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, VGS:100 mOhm @ 3A, 5V
Vermogensverlies (Max):-
Packaging:Original-Reel®
Verpakking / doos:Die
Andere namen:917-1017-6
Temperatuur:-40°C ~ 125°C (TJ)
montage Type:Surface Mount
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Loodvrije status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:145pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:1.8nC @ 5V
FET Type:N-Channel
FET Feature:-
Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan):5V
Drain naar de Bron Voltage (Vdss):200V
gedetailleerde beschrijving:N-Channel 200V 3A (Ta) Surface Mount Die
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Onderdeel nummer
Aantal stuks
Bedrijf
E-mail
Telefoon
Comments

Verwante onderdelen voor EPC2012

Beeld Onderdeel nummer fabrikanten Beschrijving Uitzicht
EPC2001C Image EPC2001C EPC TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE Onderzoek
EPC2010C Image EPC2010C EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE Onderzoek
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE Onderzoek
EPC2012CENGR Image EPC2012CENGR EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE Onderzoek
EPC2012C Image EPC2012C EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE Onderzoek
EPC2016 Image EPC2016 EPC TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE Onderzoek
EPC2014 Image EPC2014 EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE Onderzoek
EPC2016C Image EPC2016C EPC TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE Onderzoek
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE Onderzoek
EPC2001 Image EPC2001 EPC TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE Onderzoek
EPC1PC8CC Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE Onderzoek
EPC2010CENGR Image EPC2010CENGR EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE Onderzoek
EPC2014C Image EPC2014C EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE Onderzoek
EPC1PI8 Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP Onderzoek
EPC2015 Image EPC2015 EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE Onderzoek
EPC2007C Image EPC2007C EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE Onderzoek
EPC2015C Image EPC2015C EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE Onderzoek
EPC2007 Image EPC2007 EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE Onderzoek
EPC1PI8N Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP Onderzoek
EPC2010 Image EPC2010 EPC TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE Onderzoek

Latest Nieuws