Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > EPC2012
EPC2012
EPC2012
Αριθμός εξαρτήματος:
EPC2012
Κατασκευαστής:
EPC
Περιγραφή:
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
31089 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
EPC2012.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply EPC2012, use the request quote form to request EPC2012 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2012.The price and lead time for EPC2012 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2012.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-EPC2012
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):+6V, -5V
Τεχνολογία:GaNFET (Gallium Nitride)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:Die
Σειρά:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 3A, 5V
Έκλυση ενέργειας (Max):-
Συσκευασία:Original-Reel®
Συσκευασία / υπόθεση:Die
Αλλα ονόματα:917-1017-6
Θερμοκρασία λειτουργίας:-40°C ~ 125°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:145pF @ 100V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:1.8nC @ 5V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):200V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 200V 3A (Ta) Surface Mount Die
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για EPC2012

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
EPC2001C Image EPC2001C EPC TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2010C Image EPC2010C EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2012CENGR Image EPC2012CENGR EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2012C Image EPC2012C EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2016 Image EPC2016 EPC TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2014 Image EPC2014 EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2016C Image EPC2016C EPC TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2001 Image EPC2001 EPC TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE Έρευνα
EPC1PC8CC Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE Έρευνα
EPC2010CENGR Image EPC2010CENGR EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2014C Image EPC2014C EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE Έρευνα
EPC1PI8 Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP Έρευνα
EPC2015 Image EPC2015 EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2007C Image EPC2007C EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2015C Image EPC2015C EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2007 Image EPC2007 EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE Έρευνα
EPC1PI8N Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP Έρευνα
EPC2010 Image EPC2010 EPC TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE Έρευνα

Latest Ειδήσεις