Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Дискретни полупроводникови продукти > Транзистори - FETs, MOSFETs - единични > EPC2012
EPC2012
EPC2012
Номер на частта:
EPC2012
Производител:
EPC
описание:
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Статус на RoHS:
Без олово / RoHS съвместим
Количество на склад:
31089 Pieces
Време за доставка:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Време за производство:
4-8 weeks
Информационен лист:
EPC2012.pdf
Разследване

Въведение

We can supply EPC2012, use the request quote form to request EPC2012 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2012.The price and lead time for EPC2012 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2012.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификации

Вътрешен номер на част RO-EPC2012
състояние Original New
Произход на страната Contact us
Най-висока маркировка email us
Замяна See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (макс):+6V, -5V
технология:GaNFET (Gallium Nitride)
Пакет на доставчик на устройства:Die
серия:eGaN®
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 3A, 5V
Разсейване на мощност (макс.):-
Опаковка:Original-Reel®
Пакет / касета:Die
Други имена:917-1017-6
Работна температура:-40°C ~ 125°C (TJ)
Тип монтаж:Surface Mount
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:145pF @ 100V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:1.8nC @ 5V
Тип FET:N-Channel
FET Feature:-
Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On):5V
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):200V
Подробно описание:N-Channel 200V 3A (Ta) Surface Mount Die
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за EPC2012

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
EPC2001C Image EPC2001C EPC TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE Разследване
EPC2010C Image EPC2010C EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE Разследване
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE Разследване
EPC2012CENGR Image EPC2012CENGR EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE Разследване
EPC2012C Image EPC2012C EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE Разследване
EPC2016 Image EPC2016 EPC TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE Разследване
EPC2014 Image EPC2014 EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE Разследване
EPC2016C Image EPC2016C EPC TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE Разследване
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE Разследване
EPC2001 Image EPC2001 EPC TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE Разследване
EPC1PC8CC Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE Разследване
EPC2010CENGR Image EPC2010CENGR EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE Разследване
EPC2014C Image EPC2014C EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE Разследване
EPC1PI8 Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP Разследване
EPC2015 Image EPC2015 EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE Разследване
EPC2007C Image EPC2007C EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE Разследване
EPC2015C Image EPC2015C EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE Разследване
EPC2007 Image EPC2007 EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE Разследване
EPC1PI8N Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP Разследване
EPC2010 Image EPC2010 EPC TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE Разследване

Latest News