내부 부품 번호 | RO-THGBMHG9C4LBAIR |
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조건 | Original New |
국가 원산지 | Contact us |
최고 마킹 | email us |
바꿔 놓음 | See datasheet |
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지: | - |
전압 - 공급: | 2.7 V ~ 3.6 V |
과학 기술: | FLASH - NAND |
제조업체 장치 패키지: | 153-WFBGA (11.5x13) |
연속: | e•MMC™ |
포장: | Tray |
패키지 / 케이스: | 153-WFBGA |
다른 이름들: | THGBMHG9C4LBAIRA43 THGBMHG9C4LBAIRA4H THGBMHG9C4LBAIRA4L THGBMHG9C4LBAIRAPL THGBMHG9C4LBAIRH4H THGBMHG9C4LBAIRH4L THGBMHG9C4LBAIRHJL THGBMHG9C4LBAIRHLL THGBMHG9C4LBAIRJ4L THGBMHG9C4LBAIRJ4S THGBMHG9C4LBAIRYFE THGBMHG9C4LBAIRYFJ THGBMHG9C4LBAIRYGE THGBMHG9C4LBAIRYGJ THGBMHG9C4LBAIRYHG THGBMHG9C4LBAIRYHL |
작동 온도: | -25°C ~ 85°C (TA) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 3 (168 Hours) |
메모리 유형: | Non-Volatile |
메모리 크기: | 512Gb (64G x 8) |
메모리 인터페이스: | MMC |
메모리 형식: | FLASH |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
상세 설명: | FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) MMC 52MHz 153-WFBGA (11.5x13) |
클럭 주파수: | 52MHz |
Email: | [email protected] |