Interne Teilenummer | RO-THGBMHG9C4LBAIR |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
Spannungsversorgung: | 2.7 V ~ 3.6 V |
Technologie: | FLASH - NAND |
Supplier Device-Gehäuse: | 153-WFBGA (11.5x13) |
Serie: | e•MMC™ |
Verpackung: | Tray |
Verpackung / Gehäuse: | 153-WFBGA |
Andere Namen: | THGBMHG9C4LBAIRA43 THGBMHG9C4LBAIRA4H THGBMHG9C4LBAIRA4L THGBMHG9C4LBAIRAPL THGBMHG9C4LBAIRH4H THGBMHG9C4LBAIRH4L THGBMHG9C4LBAIRHJL THGBMHG9C4LBAIRHLL THGBMHG9C4LBAIRJ4L THGBMHG9C4LBAIRJ4S THGBMHG9C4LBAIRYFE THGBMHG9C4LBAIRYFJ THGBMHG9C4LBAIRYGE THGBMHG9C4LBAIRYGJ THGBMHG9C4LBAIRYHG THGBMHG9C4LBAIRYHL |
Betriebstemperatur: | -25°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Non-Volatile |
Speichergröße: | 512Gb (64G x 8) |
Speicherschnittstelle: | MMC |
Speicherformat: | FLASH |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) MMC 52MHz 153-WFBGA (11.5x13) |
Uhrfrequenz: | 52MHz |
Email: | [email protected] |