THGBMHG9C4LBAIR
- Número de pieza:
- THGBMHG9C4LBAIR
- Fabricante:
- Toshiba Memory America, Inc.
- Descripción:
- IC FLASH 512G MMC 153WFBGA
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 62215 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.THGBMHG9C4LBAIR.pdf2.THGBMHG9C4LBAIR.pdf
Introducción
We can supply THGBMHG9C4LBAIR, use the request quote form to request THGBMHG9C4LBAIR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number THGBMHG9C4LBAIR.The price and lead time for THGBMHG9C4LBAIR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# THGBMHG9C4LBAIR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Especificaciones
| Número de parte interno | RO-THGBMHG9C4LBAIR |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
| Suministro de voltaje: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnología: | FLASH - NAND |
| Paquete del dispositivo: | 153-WFBGA (11.5x13) |
| Serie: | e•MMC™ |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 153-WFBGA |
| Otros nombres: | THGBMHG9C4LBAIRA43 THGBMHG9C4LBAIRA4H THGBMHG9C4LBAIRA4L THGBMHG9C4LBAIRAPL THGBMHG9C4LBAIRH4H THGBMHG9C4LBAIRH4L THGBMHG9C4LBAIRHJL THGBMHG9C4LBAIRHLL THGBMHG9C4LBAIRJ4L THGBMHG9C4LBAIRJ4S THGBMHG9C4LBAIRYFE THGBMHG9C4LBAIRYFJ THGBMHG9C4LBAIRYGE THGBMHG9C4LBAIRYGJ THGBMHG9C4LBAIRYHG THGBMHG9C4LBAIRYHL |
| Temperatura de funcionamiento: | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 512Gb (64G x 8) |
| Interfaz de memoria: | MMC |
| Formato de memoria: | FLASH |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) MMC 52MHz 153-WFBGA (11.5x13) |
| Frecuencia de reloj: | 52MHz |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de THGBMHG9C4LBAIR
Latest Noticias
- Toshiba lanza IC del controlador de la puerta de la serie SmartMCD con microcontrolador integrado
- ADI Deployment Sambanova Kit, promoviendo la fórmula de producción AI para lograr el avance a nivel empresarial
- Honeywell y Adi se unieron para promover la innovación y el cambio de la automatización de la construcción
- Maxim anunció el lanzamiento
- Maxim lanza un convertidor DC-DC de automóvil MAX16984, un automóvil con enumetas de carga USB integradas
- Renesas Electronics lanza el primer controlador eléctrico programable de la industria IC
- Renesas lanzó la primera generación de núcleos CPU RISC-V de 32 bits
- Vishay lanzó el nuevo acoplamiento de luz de baja potencia de 10 mbd, tan bajo como 5 mA, el rango de voltaje es de 2.7 V a 5.5 V
- MelExis lanzó una nueva solución inteligente de desviación para integrar una seguridad confiable
- Toshiba ha desarrollado el primer módulo MOSFET de doble carburo de 2200V de la industria para ayudar a la miniaturización eficiente y la miniaturización de los equipos industriales
- Se acerca la efectividad de DDR5 y no se pueden ignorar los nuevos desafíos
- Renesas abre el siguiente mapa de ruta del producto del procesador de automóviles y del procesador MCU