内部モデル | RO-THGBMHG9C4LBAIR |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
電源電圧 - : | 2.7 V ~ 3.6 V |
技術: | FLASH - NAND |
サプライヤデバイスパッケージ: | 153-WFBGA (11.5x13) |
シリーズ: | e•MMC™ |
パッケージング: | Tray |
パッケージ/ケース: | 153-WFBGA |
他の名前: | THGBMHG9C4LBAIRA43 THGBMHG9C4LBAIRA4H THGBMHG9C4LBAIRA4L THGBMHG9C4LBAIRAPL THGBMHG9C4LBAIRH4H THGBMHG9C4LBAIRH4L THGBMHG9C4LBAIRHJL THGBMHG9C4LBAIRHLL THGBMHG9C4LBAIRJ4L THGBMHG9C4LBAIRJ4S THGBMHG9C4LBAIRYFE THGBMHG9C4LBAIRYFJ THGBMHG9C4LBAIRYGE THGBMHG9C4LBAIRYGJ THGBMHG9C4LBAIRYHG THGBMHG9C4LBAIRYHL |
運転温度: | -25°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ: | Non-Volatile |
記憶容量: | 512Gb (64G x 8) |
メモリインタフェース: | MMC |
メモリ形式: | FLASH |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) MMC 52MHz 153-WFBGA (11.5x13) |
クロック周波数: | 52MHz |
Email: | [email protected] |