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IMD10AT108
IMD10AT108
제품 모델:
IMD10AT108
제조사:
LAPIS Semiconductor
기술:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
33089 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
1.IMD10AT108.pdf2.IMD10AT108.pdf
문의

소개

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내부 부품 번호 RO-IMD10AT108
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전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
트랜지스터 유형:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지:SMT6
연속:-
저항기 - 이미 터베이스 (R2):10 kOhms
저항기 -베이스 (R1):10 kOhms, 100 Ohms
전력 - 최대:300mW
포장:Original-Reel®
패키지 / 케이스:SC-74, SOT-457
다른 이름들:IMD10AT108DKR
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:10 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환:250MHz, 200MHz
상세 설명:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):100mA, 500mA
기본 부품 번호:MD10A
Email:[email protected]

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