IMD10AT108
- Osa numero:
- IMD10AT108
- Valmistaja:
- LAPIS Semiconductor
- Kuvaus:
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 33089 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- 1.IMD10AT108.pdf2.IMD10AT108.pdf
esittely
We can supply IMD10AT108, use the request quote form to request IMD10AT108 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IMD10AT108.The price and lead time for IMD10AT108 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IMD10AT108.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-IMD10AT108 |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
| transistori tyyppi: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Toimittaja Device Package: | SMT6 |
| Sarja: | - |
| Vastus - emitteripohja (R2): | 10 kOhms |
| Vastus - pohja (R1): | 10 kOhms, 100 Ohms |
| Virta - Max: | 300mW |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | SC-74, SOT-457 |
| Muut nimet: | IMD10AT108DKR |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | 250MHz, 200MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA, 500mA |
| Perusosan osanumero: | MD10A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IMD10AT108
Latest News
- Toshiba käynnistää SmartMCD -sarjan portinohjaimen IC sulautetulla mikrokontrollerilla
- ADI -käyttöönotto Sambanova Kit, joka edistää tuotantokaava AI: n läpimurron saavuttamiseksi yritystasolla
- Honeywell ja Adi liittyivät kätensä edistämään rakennusautomaation innovaatiota ja muutosta
- Maxim ilmoitti julkaisusta
- Maxim käynnistää auton DC-DC-muunnin max16984, auton, jossa on integroitu USB-latausluettelot
- Renesas Electronics käynnistää alan ensimmäisen ohjelmoitavan sähköohjaimen IC
- Renesas käynnisti ensimmäisen sukupolven 32-bittisen RISC-V-CPU-ytimen
- Vishay lanseerasi uuden 10 MBD: n matalan voimanvalokytkimen, niin alhainen kuin 5 Ma, jännitealue on 2,7 V -5,5 V
- Melexis käynnisti uuden älykkään ohjausratkaisun luotettavan turvallisuuden integroimiseksi
- Toshiba on kehittänyt alan ensimmäisen 2200 V: n kaksoiskarbidi -MOSFET -moduulin teollisuuslaitteiden tehokkaan ja miniatyrisoinnin auttamiseksi
- DDR5 -aikakausi on lähestymässä, ja uusia haasteita ei voida sivuuttaa
- Renesas avaa seuraavan sukupolven Car SOC- ja MCU -prosessorin tuoteraittikartan