IMD10AT108
IMD10AT108
Modelo do Produto:
IMD10AT108
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
33089 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.IMD10AT108.pdf2.IMD10AT108.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-IMD10AT108
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SMT6
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):10 kOhms, 100 Ohms
Power - Max:300mW
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:SC-74, SOT-457
Outros nomes:IMD10AT108DKR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:250MHz, 200MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA, 500mA
Número da peça base:MD10A
Email:[email protected]

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