GSID100A120T2C1
- 제품 모델:
- GSID100A120T2C1
- 기술:
- SILICON IGBT MODULES
- RoHS 현황:
- 무연 / RoHS 준수
- 수량 재고 있음:
- 58734 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 생산 시간:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- GSID100A120T2C1.pdf
소개
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규격
| 내부 부품 번호 | RO-GSID100A120T2C1 |
|---|---|
| 조건 | Original New |
| 국가 원산지 | Contact us |
| 최고 마킹 | email us |
| 바꿔 놓음 | See datasheet |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 1200V |
| VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대): | 2.1V @ 15V, 100A |
| 제조업체 장치 패키지: | Module |
| 연속: | Amp+™ |
| 전력 - 최대: | 640W |
| 패키지 / 케이스: | Module |
| 작동 온도: | -40°C ~ 150°C |
| NTC 써미스터: | Yes |
| 실장 형: | Chassis Mount |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 8 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가: | 13.7nF @ 25V |
| 입력: | Three Phase Bridge Rectifier |
| IGBT 유형: | - |
| 상세 설명: | IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 200A 640W Chassis Mount Module |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | 1mA |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 200A |
| 구성: | Three Phase Inverter |
| Email: | [email protected] |
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