GSID100A120T2C1
- Modèle de produit:
- GSID100A120T2C1
- Fabricant:
- Global Power Technologies Group
- La description:
- SILICON IGBT MODULES
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 58734 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- GSID100A120T2C1.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-GSID100A120T2C1 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 1200V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 100A |
| Package composant fournisseur: | Module |
| Séries: | Amp+™ |
| Puissance - Max: | 640W |
| Package / Boîte: | Module |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C |
| NTC thermistance: | Yes |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 8 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: | 13.7nF @ 25V |
| Contribution: | Three Phase Bridge Rectifier |
| type de IGBT: | - |
| Description détaillée: | IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 200A 640W Chassis Mount Module |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 1mA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 200A |
| Configuration: | Three Phase Inverter |
| Email: | [email protected] |
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