GSID100A120T2C1
- Artikelnummer:
- GSID100A120T2C1
- Hersteller:
- Global Power Technologies Group
- Beschreibung:
- SILICON IGBT MODULES
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 58734 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- GSID100A120T2C1.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-GSID100A120T2C1 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 1200V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 100A |
| Supplier Device-Gehäuse: | Module |
| Serie: | Amp+™ |
| Leistung - max: | 640W |
| Verpackung / Gehäuse: | Module |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C |
| NTC-Thermistor: | Yes |
| Befestigungsart: | Chassis Mount |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 8 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingangskapazität (Cíes) @ VCE: | 13.7nF @ 25V |
| Eingang: | Three Phase Bridge Rectifier |
| IGBT-Typ: | - |
| detaillierte Beschreibung: | IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 200A 640W Chassis Mount Module |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 1mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 200A |
| Konfiguration: | Three Phase Inverter |
| Email: | [email protected] |
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