GSID100A120T2C1
- Modelo do Produto:
- GSID100A120T2C1
- Fabricante:
- Global Power Technologies Group
- Descrição:
- SILICON IGBT MODULES
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 58734 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- GSID100A120T2C1.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-GSID100A120T2C1 |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic: | 2.1V @ 15V, 100A |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Module |
| Série: | Amp+™ |
| Power - Max: | 640W |
| Caixa / Gabinete: | Module |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C |
| NTC Thermistor: | Yes |
| Tipo de montagem: | Chassis Mount |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de entrada (Cies) @ Vce: | 13.7nF @ 25V |
| Entrada: | Three Phase Bridge Rectifier |
| Tipo de IGBT: | - |
| Descrição detalhada: | IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 200A 640W Chassis Mount Module |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 1mA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 200A |
| Configuração: | Three Phase Inverter |
| Email: | [email protected] |
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