内部モデル | RO-SI7621DN-T1-GE3 |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 2V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±12V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® 1212-8 |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 90 mOhm @ 3.9A, 4.5V |
電力消費(最大): | 3.1W (Ta), 12.5W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | PowerPAK® 1212-8 |
他の名前: | SI7621DN-T1-GE3TR SI7621DNT1GE3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 300pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 6.2nC @ 5V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 2.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
詳細な説明: | P-Channel 20V 4A (Tc) 3.1W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 4A (Tc) |
Email: | [email protected] |