SI7621DN-T1-GE3
SI7621DN-T1-GE3
Modelo do Produto:
SI7621DN-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
71880 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SI7621DN-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-SI7621DN-T1-GE3
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAK® 1212-8
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:90 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):3.1W (Ta), 12.5W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:PowerPAK® 1212-8
Outros nomes:SI7621DN-T1-GE3TR
SI7621DNT1GE3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:6.2nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:P-Channel 20V 4A (Tc) 3.1W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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