Вътрешен номер на част | RO-SI7621DN-T1-GE3 |
---|---|
състояние | Original New |
Произход на страната | Contact us |
Най-висока маркировка | email us |
Замяна | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
Vgs (макс): | ±12V |
технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
Пакет на доставчик на устройства: | PowerPAK® 1212-8 |
серия: | TrenchFET® |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 90 mOhm @ 3.9A, 4.5V |
Разсейване на мощност (макс.): | 3.1W (Ta), 12.5W (Tc) |
Опаковка: | Tape & Reel (TR) |
Пакет / касета: | PowerPAK® 1212-8 |
Други имена: | SI7621DN-T1-GE3TR SI7621DNT1GE3 |
Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтаж: | Surface Mount |
Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 300pF @ 10V |
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 6.2nC @ 5V |
Тип FET: | P-Channel |
FET Feature: | - |
Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 20V |
Подробно описание: | P-Channel 20V 4A (Tc) 3.1W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
Email: | [email protected] |