SI7621DN-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SI7621DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 71880 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SI7621DN-T1-GE3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-SI7621DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PowerPAK® 1212-8 |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 90 mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 3.1W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | PowerPAK® 1212-8 |
| Andere Namen: | SI7621DN-T1-GE3TR SI7621DNT1GE3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 300pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.2nC @ 5V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 20V 4A (Tc) 3.1W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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