SI6963BDQ-T1-GE3
SI6963BDQ-T1-GE3
部品型番:
SI6963BDQ-T1-GE3
メーカー:
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:
MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8-TSSOP
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
45415 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
SI6963BDQ-T1-GE3.pdf

簡潔な

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規格

内部モデル RO-SI6963BDQ-T1-GE3
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
同上@ VGS(TH)(最大):1.4V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:8-TSSOP
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):45 mOhm @ 3.9A, 4.5V
電力 - 最大:830mW
パッケージング:Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
他の名前:SI6963BDQ-T1-GE3CT
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:-
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:11nC @ 4.5V
FETタイプ:2 P-Channel (Dual)
FET特長:Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン:20V
詳細な説明:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.4A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):3.4A
ベース部品番号:SI6963
Email:[email protected]

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