SI6963BDQ-T1-GE3
- Modelo do Produto:
- SI6963BDQ-T1-GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8-TSSOP
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 45415 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- SI6963BDQ-T1-GE3.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-SI6963BDQ-T1-GE3 |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.4V @ 250µA |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-TSSOP |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| Power - Max: | 830mW |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Outros nomes: | SI6963BDQ-T1-GE3CT |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica FET: | Logic Level Gate |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição detalhada: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.4A 830mW Surface Mount 8-TSSOP |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 3.4A |
| Número da peça base: | SI6963 |
| Email: | [email protected] |
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