SI6963BDQ-T1-GE3
SI6963BDQ-T1-GE3
Osa numero:
SI6963BDQ-T1-GE3
Valmistaja:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Kuvaus:
MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8-TSSOP
RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä varastossa:
45415 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tuotantoaika:
4-8 weeks
Tietolomake:
SI6963BDQ-T1-GE3.pdf

esittely

We can supply SI6963BDQ-T1-GE3, use the request quote form to request SI6963BDQ-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI6963BDQ-T1-GE3.The price and lead time for SI6963BDQ-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI6963BDQ-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

tekniset tiedot

Sisäinen osanumero RO-SI6963BDQ-T1-GE3
Kunto Original New
Maa alkuperä Contact us
Alkuun Merkintä email us
Korvaus See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:1.4V @ 250µA
Toimittaja Device Package:8-TSSOP
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:45 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Virta - Max:830mW
Pakkaus:Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Muut nimet:SI6963BDQ-T1-GE3CT
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 4.5V
FET tyyppi:2 P-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Yksityiskohtainen kuvaus:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.4A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3.4A
Perusosan osanumero:SI6963
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit