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まず  ページ > プロダクトセンター > 集積回路 (ic) > メモリ > MT49H64M9CBM-25E:B
MT49H64M9CBM-25E:B
部品型番:
MT49H64M9CBM-25E:B
メーカー:
Micron Technology
説明:
IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
46983 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
MT49H64M9CBM-25E:B.pdf
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規格

内部モデル RO-MT49H64M9CBM-25E:B
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-
電源電圧 - :1.7 V ~ 1.9 V
技術:DRAM
サプライヤデバイスパッケージ:144-µBGA (18.5x11)
シリーズ:-
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:144-TFBGA
運転温度:0°C ~ 95°C (TC)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:3 (168 Hours)
メモリタイプ:Volatile
記憶容量:576Mb (64M x 9)
メモリインタフェース:Parallel
メモリ形式:DRAM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明:DRAM Memory IC 576Mb (64M x 9) Parallel 400MHz 15ns 144-µBGA (18.5x11)
クロック周波数:400MHz
ベース部品番号:MT49H64M9
アクセス時間:15ns
Email:[email protected]

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