MT49H64M9CBM-25E:B
- Modello di prodotti:
- MT49H64M9CBM-25E:B
- fabbricante:
- Micron Technology
- Descrizione:
- IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 46983 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- MT49H64M9CBM-25E:B.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-MT49H64M9CBM-25E:B |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | - |
| Tensione di alimentazione -: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Tecnologia: | DRAM |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 144-µBGA (18.5x11) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | 144-TFBGA |
| temperatura di esercizio: | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 576Mb (64M x 9) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | DRAM Memory IC 576Mb (64M x 9) Parallel 400MHz 15ns 144-µBGA (18.5x11) |
| Frequenza dell'orologio: | 400MHz |
| Numero di parte base: | MT49H64M9 |
| Tempo di accesso: | 15ns |
| Email: | [email protected] |
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