MT49H64M9CBM-25E:B
- Modèle de produit:
- MT49H64M9CBM-25E:B
- Fabricant:
- Micron Technology
- La description:
- IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 46983 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- MT49H64M9CBM-25E:B.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-MT49H64M9CBM-25E:B |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | - |
| Tension - Alimentation: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| La technologie: | DRAM |
| Package composant fournisseur: | 144-µBGA (18.5x11) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | 144-TFBGA |
| Température de fonctionnement: | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Volatile |
| Taille mémoire: | 576Mb (64M x 9) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | DRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | DRAM Memory IC 576Mb (64M x 9) Parallel 400MHz 15ns 144-µBGA (18.5x11) |
| Fréquence d'horloge: | 400MHz |
| Numéro de pièce de base: | MT49H64M9 |
| Temps d'accès: | 15ns |
| Email: | [email protected] |
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