MT49H64M9CBM-25E:B
Modelo do Produto:
MT49H64M9CBM-25E:B
Fabricante:
Micron Technology
Descrição:
IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
46983 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
MT49H64M9CBM-25E:B.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-MT49H64M9CBM-25E:B
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página:-
Tensão - Fornecimento:1.7 V ~ 1.9 V
Tecnologia:DRAM
Embalagem do dispositivo fornecedor:144-µBGA (18.5x11)
Série:-
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:144-TFBGA
Temperatura de operação:0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memória:Volatile
Tamanho da memória:576Mb (64M x 9)
Interface de memória:Parallel
Formato de memória:DRAM
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:DRAM Memory IC 576Mb (64M x 9) Parallel 400MHz 15ns 144-µBGA (18.5x11)
Freqüência de relógio:400MHz
Número da peça base:MT49H64M9
Tempo de acesso:15ns
Email:[email protected]

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