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IXFT150N17T2
部品型番:
IXFT150N17T2
メーカー:
IXYS Corporation
説明:
MOSFET N-CH
在庫数量:
32799 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
IXFT150N17T2.pdf
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規格

内部モデル RO-IXFT150N17T2
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
同上@ VGS（TH）（最大）:4.5V @ 1mA
Vgs（最大）:±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-268
シリーズ:HiPerFET™, TrenchT2™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:12 mOhm @ 75A, 10V
電力消費（最大）:880W (Tc)
パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
メーカーの標準リードタイム:24 Weeks
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:14600pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:233nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:175V
詳細な説明:N-Channel 175V 150A (Tc) 880W (Tc) Surface Mount TO-268
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:150A (Tc)
Email:[email protected]

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