русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IXFT150N17T2
IXFT150N17T2
Тип продуктов:
IXFT150N17T2
производитель:
IXYS Corporation
Описание:
MOSFET N-CH
Количество на складе:
32799 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
IXFT150N17T2.pdf
запрос

Введение

We can supply IXFT150N17T2, use the request quote form to request IXFT150N17T2 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFT150N17T2.The price and lead time for IXFT150N17T2 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFT150N17T2.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-IXFT150N17T2
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Vgs (й) (Max) @ Id:4.5V @ 1mA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-268
Серии:HiPerFET™, TrenchT2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:12 mOhm @ 75A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):880W (Tc)
Упаковка /:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Стандартное время изготовления:24 Weeks
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:14600pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:233nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):175V
Подробное описание:N-Channel 175V 150A (Tc) 880W (Tc) Surface Mount TO-268
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:150A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для IXFT150N17T2

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
IXFT12N100F Image IXFT12N100F IXYS RF MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 запрос
IXFT14N100 Image IXFT14N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268 запрос
IXFT16N90Q Image IXFT16N90Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 16A TO-268 запрос
IXFT16N80P Image IXFT16N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 16A TO-268 запрос
IXFT12N100 Image IXFT12N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268 запрос
IXFT14N80P Image IXFT14N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 14A TO-268 запрос
IXFT15N100Q3 Image IXFT15N100Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 запрос
IXFT13N80Q Image IXFT13N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 13A TO-268 запрос
IXFT150N20T Image IXFT150N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 150A TO-268 запрос
IXFT15N80Q Image IXFT15N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 15A TO-268 запрос
IXFT12N100Q Image IXFT12N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 запрос
IXFT12N90Q Image IXFT12N90Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 12A TO-268 запрос
IXFT150N30X3HV Image IXFT150N30X3HV IXYS Corporation 300V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS запрос
IXFT150N25X3HV Image IXFT150N25X3HV IXYS Corporation 250V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS запрос
IXFT140N10P Image IXFT140N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 запрос
IXFT140N20X3HV Image IXFT140N20X3HV IXYS Corporation 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS запрос
IXFT16N120P Image IXFT16N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 16A TO268 запрос
IXFT15N100Q Image IXFT15N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 запрос
IXFT170N25X3HV Image IXFT170N25X3HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV запрос
IXFT13N100 Image IXFT13N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268 запрос

Latest Новости