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IXFT12N100F
IXFT12N100F
部品型番:
IXFT12N100F
メーカー:
IXYS RF
説明:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
63169 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
IXFT12N100F.pdf
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規格

内部モデル RO-IXFT12N100F
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
同上@ VGS（TH）（最大）:5.5V @ 4mA
Vgs（最大）:±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-268 (IXFT)
シリーズ:HiPerRF™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:1.05 Ohm @ 6A, 10V
電力消費（最大）:300W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:14 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:2700pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:77nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:1000V
詳細な説明:N-Channel 1000V 12A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:12A (Tc)
Email:[email protected]

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