内部モデル | RO-DP0150BLP4-7 |
---|---|
状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 300mV @ 10mA, 100mA |
トランジスタ型式: | NPN |
サプライヤデバイスパッケージ: | X2-DFN1006-3 |
シリーズ: | - |
電力 - 最大: | 450mW |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 3-XFDFN |
他の名前: | DP0150BLP4-7DI DP0150BLP4-7DI-ND DP0150BLP4-7DITR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | 80MHz |
詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 80MHz 450mW Surface Mount X2-DFN1006-3 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 200 @ 2mA, 6V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 100mA |
Email: | [email protected] |