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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > DP0150BLP4-7
DP0150BLP4-7
DP0150BLP4-7
Modelo do Produto:
DP0150BLP4-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
59316 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
DP0150BLP4-7.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-DP0150BLP4-7
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor:NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor:X2-DFN1006-3
Série:-
Power - Max:450mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:3-XFDFN
Outros nomes:DP0150BLP4-7DI
DP0150BLP4-7DI-ND
DP0150BLP4-7DITR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:80MHz
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 80MHz 450mW Surface Mount X2-DFN1006-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:200 @ 2mA, 6V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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