Interne Teilenummer | RO-DP0150BLP4-7 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 10mA, 100mA |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | X2-DFN1006-3 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 450mW |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | 3-XFDFN |
Andere Namen: | DP0150BLP4-7DI DP0150BLP4-7DI-ND DP0150BLP4-7DITR |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 80MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 80MHz 450mW Surface Mount X2-DFN1006-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 200 @ 2mA, 6V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
Email: | [email protected] |