Numéro de pièce interne | RO-DP0150BLP4-7 |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 10mA, 100mA |
Transistor Type: | NPN |
Package composant fournisseur: | X2-DFN1006-3 |
Séries: | - |
Puissance - Max: | 450mW |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | 3-XFDFN |
Autres noms: | DP0150BLP4-7DI DP0150BLP4-7DI-ND DP0150BLP4-7DITR |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition: | 80MHz |
Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 80MHz 450mW Surface Mount X2-DFN1006-3 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 200 @ 2mA, 6V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
Email: | [email protected] |