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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici > JAN2N6989
JAN2N6989
Modello di prodotti:
JAN2N6989
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116
Stato RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità in magazzino:
74416 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
JAN2N6989.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-JAN2N6989
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1V @ 50mA, 500mA
Tipo transistor:4 NPN (Quad)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-116
Serie:Military, MIL-PRF-19500/559
Potenza - Max:1.5W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:14-DIP (0.300", 7.62mm)
Altri nomi:1086-2366
1086-2366-MIL
temperatura di esercizio:-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:23 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenza - transizione:-
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1.5W Through Hole TO-116
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 150mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):10µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):800mA
Email:[email protected]

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