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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - tableaux > JAN2N6989
JAN2N6989
Modèle de produit:
JAN2N6989
Fabricant:
Microsemi
La description:
TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116
Statut RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
la quantité en dépôt:
74416 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
JAN2N6989.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-JAN2N6989
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1V @ 50mA, 500mA
Transistor Type:4 NPN (Quad)
Package composant fournisseur:TO-116
Séries:Military, MIL-PRF-19500/559
Puissance - Max:1.5W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:14-DIP (0.300", 7.62mm)
Autres noms:1086-2366
1086-2366-MIL
Température de fonctionnement:-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:23 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1.5W Through Hole TO-116
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 150mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):10µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):800mA
Email:[email protected]

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