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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > JAN2N6989
JAN2N6989
Modelo do Produto:
JAN2N6989
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116
Status de RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade em estoque:
74416 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
JAN2N6989.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-JAN2N6989
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:1V @ 50mA, 500mA
Tipo transistor:4 NPN (Quad)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-116
Série:Military, MIL-PRF-19500/559
Power - Max:1.5W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:14-DIP (0.300", 7.62mm)
Outros nomes:1086-2366
1086-2366-MIL
Temperatura de operação:-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:23 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição:-
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1.5W Through Hole TO-116
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 150mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):10µA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):800mA
Email:[email protected]

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