Interne Teilenummer | RO-JAN2N6989 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 50mA, 500mA |
Transistor-Typ: | 4 NPN (Quad) |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-116 |
Serie: | Military, MIL-PRF-19500/559 |
Leistung - max: | 1.5W |
Verpackung: | Bulk |
Verpackung / Gehäuse: | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
Andere Namen: | 1086-2366 1086-2366-MIL |
Betriebstemperatur: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 23 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Frequenz - Übergang: | - |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1.5W Through Hole TO-116 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 100 @ 150mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 800mA |
Email: | [email protected] |